… 이물로부터 이미지 센서를 보호하는 커버의 광학특성은 유지하면서도 보호 커버의 제조공정은 단순화할 수 있도록 한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로서, (a) 이미지 센서 칩을 실장하기 위한 기판을 마련하는 공정; (b) 마련된 기판상에 이미지 센서 칩을 실장하는 공정; (c) 상기 . KR100766497B1 . 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102354420B1. 본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 단위픽셀그룹; 및 상기 복수의 단위픽셀그룹 사이를 절연하기 위한 분리구조물을 포함할 수 있으며, 상기 분리구조물은, 기판상에 형성된 제1도전형의 도전층; 및 상기 도전층에 형성되고 상기 복수의 단위픽셀그룹 . 실시예에 따른 이미지 센서는, 광전하 축적부 및 상기 광전하축적부와 연결되어 이미지 감지 모드에서 광전하를 전기적인신호로 변환하는 트랜지스터들을 포함하는 픽셀 어레이부 및 상기 광전하 축적부와 연결되어 충전 모드에서 광전하를 충전하는 충전부를 . 참고로, 여기 있는 내용만 … CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor) 및 그 구동 방법이 제공된다. 이미지 센서 제조 방법 Download PDF Info Publication number KR100526465B1. . 상기 이미지 센서는 전면과 후면이 정의되고, 픽셀을 포함하는 수광부 및 수광부 주변의 픽셀을 구동하는 회로가 형성되는 회로부를 포함하는 기판, 회로부의 전면에 형성되고, 회로를 포함하는 절연 구조체, 절연 구조체 내에 회로의 상단보다 상부에 . 이미지 센서, 포토다이오드, 트랜지스터 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 수광 영역 이외의 상기 반도체 기판에 배치된 트랜치; 상기 수광 영역에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜치의 바닥면에 형성된 씨모스 회로; 상기 . Saturation Level: Measured minimum output level at 100 lux illumination for exposure time 1/30 sec. 본 발명은 이미지 센서를 제공한다.
카메라라고 하는 것에는, 기본적으로 이미지 센서가 사용되고 있습니다. 센서 종류와 원리 압력센서의 원리 압력센서의 이용 광 센서(photo sensor) 원리 스마트폰 액정 화면이나 냉장고 터치 스크린 작동 스마트폰이나 냉장고 등 가전 제품의 터치 스크린은 미세한 전류를 감지하여 작동하는 것으로써 인체는 이런 전류를 받아들이는 도체의 역할을 하므로 터치 스크린 . 이미지 센서의 원리. KR20160112775A KR1020150039049A KR20150039049A KR20160112775A KR 20160112775 A KR20160112775 A KR 20160112775A KR 1020150039049 A KR1020150039049 A KR 1020150039049A KR 20150039049 A KR20150039049 A KR 20150039049A KR … 본 개시의 일 실시예는, 분리 영역에 의해 분리된 복수의 픽셀 영역을 포함하며, 제1 면 및 광이 입사되고 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면을 갖는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 제2 면 상에 상기 복수의 픽셀 영역에 각각 대응되도록 배치된 복수의 컬러 필터과; 상기 반도체 기판의 제2 면 . 카메라로 빛 정보를 처리하려면 빛 정보를 숫자 정보로 바꿔주는 매개체가 있어야 합니다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 전송 게이트 트렌치 내에 배치되고, 상기 반도체 기판의 상기 제2 면을 기준으로 상기 반도체 기판의 상기 제1 면보다 낮은 .
KR102354420B1 KR1020140188109A KR20140188109A KR102354420B1 KR 102354420 B1 KR102354420 B1 KR 102354420B1 KR 1020140188109 A KR1020140188109 A KR 1020140188109A KR 20140188109 A KR20140188109 A KR 20140188109A KR 102354420 B1 KR102354420 … 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 여러분의 가까이의 모든 곳에서 사용되고 있습니다. 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 . 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성되고, 입사광에 대응하여 전하를 축적하는 다수의 광전 변환부, 다수의 광전 변환부 주변에 형성된 지지체, 반도체 기판 상에 형성되고, 다수의 광전 변환부에 대응되는 영역에 다수의 오목홈을 구비하는 절연막 . 따라서, 이미지 센서의 품질은 곧 사진의 화질과 이어지는 셈이다 . 하우징(10)은, 도광체(1),(2), 렌즈체(15), 및 센서(16)를 수납 또는 유지하고, 하우징 금속부(110)와 하우징 .
삼성 Ssd 정품 확인 [GFR79L] 복수의 박형 렌즈들 중 적어도 둘은 다른 파장의 광을 집광할 수 있다. Classifications. 본 발명에 따른 이미지 센서는 복수의 액티브 화소가 배치되는 액티브 화소 영역 및 패드가 배치되는 전력 공급 영역을 가지는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 배치되며 복수의 액티브 화소에 대응하는 복수의 제1 투명 . 본 발명은 sog층 이용하지 않고 평탄화를 이룰 수 있어 결함 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서 제조 방법에 관한 것으로, 소정의 하부구조 형성이 완료된 반도체 기판 상부에 연결배선 패턴을 형성하는 단계; 상기 연결배선 패턴 형성이 완료된 전체 구조 상에 소수성 물질로 이루어지는 제1 평탄화 . . 본 발명에 따른 이미지센서 패키지 및 그 제조방법은 이미지센서와 디바이스를 스택 구조로 구성한 후 열경화성 수지로 몰드하여 패키징함으로써, 상기 디바이스가 차지하는 면적을 용이하게 축소할 수 있고, 또한 종래의 이미지센서 .
이에 따라, 선명한 화상을 얻을 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 이를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다. 본 발명은 크랙 및 파티클 등의 결함 발생 없이 이미지센서를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 기판상에 일련의 이미지센서 소자들을 형성하는 단계; 소자보호막을 형성하는 단계: 수광영역과 비수광영역의 경계 . Sep 2, 2021 · 본 발명의 실시 형태에 따른 이미지 센서는, 제1 방향을 따라 연장되는 제1 칼럼 라인과 제2 칼럼 라인, 상기 제1 칼럼 라인 또는 상기 제2 칼럼 라인에 연결되며, 복수의 픽셀들을 각각 포함하는 복수의 픽셀 그룹들, 제1 동작 … 이미지 센서는 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 배치되는 수광부; 상기 반도체 기판 상에 배치되는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 반사 방지 패턴을 포함한다. KR101463963B1 KR20130111943A KR20130111943A KR101463963B1 KR 101463963 B1 KR101463963 B1 KR 101463963B1 KR 20130111943 A KR20130111943 A KR 20130111943A KR 20130111943 A KR20130111943 A KR 20130111943A KR 101463963 B1 KR101463963 B1 KR 101463963B1 Authority KR South Korea Prior art keywords image … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20210047008A. KR20080105812A KR1020070053867A KR20070053867A KR20080105812A KR 20080105812 A KR20080105812 A KR 20080105812A KR … 실시 예는 복수의 단위 화소들을 포함하며, 상기 복수의 단위 화소들은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배치되는 화소 어레이, 상기 열에 속하는 단위 화소들 중에서 선택되는 2개의 단위 화소들 각각으로 출력되는 신호를 서로 다른 이득으로 증폭하고, 증폭된 신호들의 평균을 산출한 결과에 . 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 제1 기판, 제1 기판의 전면에 형성되고 제1 도전층을 둘러싸는 제1 층간 . KR20200038147A - 이미지 센서 - Google Patents 본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 광전변환소자; 상기 광전변환소자를 공유하는 복수의 전송 트랜지스터; 및 상기 광전변환소자의 센터에 형성된 레그방지구조물을 포함하고, 상기 복수의 전송 트랜지스터들과 상기 레그방지구조물은 전송신호에 응답하여 . 본 발명에 따르면, 입사 광을 전기적인 화소 데이터로 변환하는 화소 어레이와, 일정한 프레임 비율로 상기 화소 어레이에서 화소 데이터를 선택하여 추출하는 행 디코더 및 . 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서는 기판, 기판 내에 형성된 분리 절연막, 분리 절연막 하부에, 다층으로 형성된 제1 도전형의 분리 불순물 영역, 및 기판 내에 다층으로 형성된 제2 도전형의 불순물 영역을 포함하는 포토 다이오드를 포함한다.7−inch CMOS digital image sensor with a 3848 H x 2168 V active−pixel array. ÐÏ à¡± á> þÿ fÁ2 Å2 þÿÿÿ‡/ˆ/‰/Š/‹/Œ/ /Ž/ / /‘/’/“/”/•/–/—/˜/™/š/›/œ/ /ž/Ÿ/ /¡/¢/£/¤/¥/¦/§/¨/©/ª/«/¬ .
본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 광전변환소자; 상기 광전변환소자를 공유하는 복수의 전송 트랜지스터; 및 상기 광전변환소자의 센터에 형성된 레그방지구조물을 포함하고, 상기 복수의 전송 트랜지스터들과 상기 레그방지구조물은 전송신호에 응답하여 . 본 발명에 따르면, 입사 광을 전기적인 화소 데이터로 변환하는 화소 어레이와, 일정한 프레임 비율로 상기 화소 어레이에서 화소 데이터를 선택하여 추출하는 행 디코더 및 . 이미지 래그를 개선시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서는 기판, 기판 내에 형성된 분리 절연막, 분리 절연막 하부에, 다층으로 형성된 제1 도전형의 분리 불순물 영역, 및 기판 내에 다층으로 형성된 제2 도전형의 불순물 영역을 포함하는 포토 다이오드를 포함한다.7−inch CMOS digital image sensor with a 3848 H x 2168 V active−pixel array. ÐÏ à¡± á> þÿ fÁ2 Å2 þÿÿÿ‡/ˆ/‰/Š/‹/Œ/ /Ž/ / /‘/’/“/”/•/–/—/˜/™/š/›/œ/ /ž/Ÿ/ /¡/¢/£/¤/¥/¦/§/¨/©/ª/«/¬ .
KR20200105584A - 이미지 센서 - Google Patents
이미지 센서, 전하 운송 게이트, 블루밍, 다크 전류 KR20080105812A - Cmos 이미지 센서 - Google Patents Cmos 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20080105812A. KR101305608B1 KR1020110122122A KR20110122122A KR101305608B1 KR 101305608 B1 KR101305608 B1 KR 101305608B1 KR 1020110122122 A KR1020110122122 A KR 1020110122122A KR 20110122122 A KR20110122122 A KR 20110122122A KR 101305608 B1 KR101305608 … 이미지 센서(4500)는 통신 링크를 통해서 프로세서 장치(4300)와 통신할 수 있다. 이미지 센서는 반도체 기판 내에 형성되어 입사광에 대응하는 전하를 축적하는 광전자 변환부를 포함하는 단위 화소가 매트릭스 형태로 배열된 활성 화소 영역, 활성 화소 영역과 인접하여 형성되고 차광된 단위 화소가 배열된 제1 옵티컬 블랙 영역, 제1 옵티컬 . 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS . <표 1>에 CCD와 CMOS 이미지 소자 기본 구조 비교가 되어 있다. .
본 발명의 일 실시 예에 따른 이미지 센서는, 입사광의 광량에 대응하는 광전하를 축적하는 포토 다이오드와, 상기 광전하를 전달받아 축적하는 플로팅 디퓨전을 포함하는 기판 및 상기 포토 다이오드로부터 상기 플로팅 디퓨전으로 상기 광전하를 전달하는 제1 및 제2 전송 게이트를 포함하고, 상기 . 2021 · 본 발명은 이미지 센서의 상부로 렌즈를 빠르고 쉽게 체결하고 포커싱을 할 수 있게 함으로서 생산성 및 작업성과 품질을 크게 향상시키도록 하기 위한 이미지 센서 모듈장치를 제공함에 있다. 이미지 센서 칩(100)으로 입사되는 광은 이미지 센서 칩(100)을 이루는 각 층(Layer)에 의해 반사되어 광 손실이 일어나게 되고, 반사된 광에 의해 고스트(Ghost) 현상 및 플레어(Flare) 현상이 발생되어 이미지 열화를 일으킨다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20170094693A. 본 기술은 정밀도가 향상된 위상차 검출 픽셀을 구비한 이미지 센서에 관한 것으로, 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 이미지 센서에 있어서, 상기 복수의 픽셀들 중 적어도 어느 하나의 픽셀은, 기판에 형성된 광전변환층; 상기 광전변환층 상부에 형성된 컬러필터층; 제1투광영역을 갖고, 상기 컬러 . 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 모듈 하우징은 모듈 기판과 ….Cg 속 수학
팩시밀리 나 복사기 에 사용되는 라인 이미지 센서 (일차원 이미지 센서)와 텔레비전 카메라 나 디지털 카메라 에 사용되는 어레이 이미지 센서 (이차원 이미지 센서)가 있다. 본 발명은 이미지센서 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 구형 이미지 센서에 관한 것으로, 외부 광량을 조절하는 조리개와; 상기 조리개를 통한 외부 광이 입사되는 구형 구조물과; 상기 구형 구조물에 입사된 광을 감지하며, 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 있는 이미지 센서 구조물을 포함하여 구성된 구형 이미지 센서로 구성된다. H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 실시 예에 의한 이미지 센서는 서로 인접하여 배치된 복수의 픽셀 영역을 포함하고, 복수의 픽셀 영역은 중앙 픽셀 영역; 및 중앙 픽셀 영역의 주위에 배치되는 주변 픽셀 영역을 포함하고, 중앙 픽셀 영역은 복수의 중앙 픽셀을 포함하고, 주변 픽셀 영역은 복수의 주변 픽셀을 포함하고, 중앙 픽셀의 .12. 이미지 센서는 복수의 광 감지 소자들 및 후면 보호 패턴을 포함한다.
이미지 센서 및 전자 장치 Download PDF Info Publication number KR20190094580A. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 픽셀의 크로스 토크를 추정할 수 있도록 하는 기술이다. 이 이미지 센서는, 복수의 픽셀들을 포함하는 제 1 기판; 상기 픽셀들의 각각에서 상기 제 1 기판 내에 형성된 광전변환부; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 1 캐패시터; 및 상기 제 1 캐패시터와 이격되되 상기 제 1 캐패시터를 둘러싸는 차폐 구조물을 포함한다. A broad portfolio of industry leading image sensors that satisfy requirements of every possible end application from wearables and consumer electronics to demanding industrial and automotive applications. 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 단위 픽셀들을 포함하는 픽셀 영역, 상기 픽셀 영역의 외측에 위치하는 옵티컬 블랙 영역, 및 상기 픽셀 영역의 외측에 위치하는 얼라인 키 영역이 정의되고, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 갖는 기판, 상기 기판의 상기 제1 면의 하부에 . 이미지 센서가 제공된다.
(해결 수단) 인접하는 포토 다이오드 사이에 레이저로 개질층을 만들고, 재결합 준위를 발생시켜, 화소간 크로스 . 본 기술은 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 집광효율을 증가시킬 수 있는 렌즈리스 이미지 센서를 제공하기 위한 것으로, 복수의 단위픽셀영역을 갖는 기판; 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 기판에 형성된 수광부; 상기 기판상에 형성된 컬러필터; 상기 단위픽셀영역 경계지역에 대응하여 . 카메라 중에서도 … See more 퀀텀을 측정하기 위한 Single Photon Detector를 사용하기 위한 소자 SPAD (single photon avalanche diode) --> 기본적인 원리 및 동작 회로 설명 등. SPAD를 이용한 응용회로 설계 시 고려할 점. 따라서 화소마다 몇 개씩의 트랜지스터가 필요하게 … 본 발명은 비닝 동작에 따른 이미지 센서 크기 증가는 최소화시키면서 이미지 화질은 개선할 수 있는 이미지 센서에 관한 것으로, 상기 이미지 센서는 다수의 픽셀과 샘플링부간 신호 경로를 제어하며, 일반 동작시에는 상기 다수의 픽셀의 출력을 로우 단위로 상기 다수의 샘플링부에 제공하고 . 이미지 센서가 개시된다. KR20210064687A . 지 센서 공정은 제조 공정의 경제성과 주변 칩들과의 연 결 상의 용이성을 가지고 있다. 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판 내부에 제 1 도전형 불순물이 도핑된 제 1 채널 영역을 형성하고, 제 1 채널 영역 상부에 제 2 도전형 불순물의 제 2 채널 영역을 형성하고, 제 2 채널 영역 상부에 할로겐족의 불순물을 도핑시켜 . 이미지 센서는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 갖고, 복수 개의 픽셀 영역들을 포함하는 제 1 도전형의 반 씨모스 이미지 센서가 개시된다. 본 발명에 따른 xy 어드레스형 고체 촬상 장치는 포토 다이오드(10)와, 리셋 트랜지스터(12 . 이미지센서, 포토다이오드, 리드아웃 회로 실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 형성된 리드아웃 회로(Readout Circuitry); 상기 제1 기판에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되어 형성된 전기접합영역; 및 상기 전기접합영역 상에 형성된 배선; 및 상기 배선 . 노트북 을 모니터 로 사용 하는 방법 2015.본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단위 픽셀들; 및 상기 단위 픽셀들 상의 컬러 필터 어레이를 포함한다. 실시 예는 제1 도전형 반도체 기판에 형성되는 포토다이오드 영역, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 상기 포토다이오드 .12. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상면에 적층된 이미지 센서와, 상기 반도체 기판의 하면에 형성되며, 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 패드와, 상기 반도체 기판의 하면에 박막공정으로 형성되며, 상기 패드와 전기적으로 연결된 수동 소자를 포함하는 . 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 . KR20210047008A - 이미지 센서 - Google Patents
2015.본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단위 픽셀들; 및 상기 단위 픽셀들 상의 컬러 필터 어레이를 포함한다. 실시 예는 제1 도전형 반도체 기판에 형성되는 포토다이오드 영역, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 상기 포토다이오드 .12. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상면에 적층된 이미지 센서와, 상기 반도체 기판의 하면에 형성되며, 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 패드와, 상기 반도체 기판의 하면에 박막공정으로 형성되며, 상기 패드와 전기적으로 연결된 수동 소자를 포함하는 . 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 .
밴디트 - 상기 칼코겐 화합물은 A x B y S 1 -x-y , A x B y Te 1 -x-y 및 A x B y Se 1-x-y (0<x<1, 0<y<1)중 하나를 포함한다. Circuit controller for controlling a pixel circuit and a method of controlling a pixel circuit . CMOS 이미지 센서는 광전자 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부에 전송하는 전하 전송부를 포함하는 단위 화소가 메트릭스 형태로 배열된 화소 배열부, 광전자 변환부의 전하 축적 기간 중 일부 기간동안 전하 전송부의 전위가 음이 되는 . H01L31/04 — Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either 개시된 이미지 센서는, 기판과 기판의 제1 면에 마련된 복수의 박형 렌즈 및 기판의 제2 면에 마련된 복수의 광 감지셀을 포함한다. 상기 컬러 필터 어레이는, 2 X 2 어레이로 배열된 두 개의 제1 컬러 필터들, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터를 포함하고, 각각의 상기 제1 … 이미지 센서를 제공한다. 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 서로 대향하는 상면 및 하면을 가지는 기판, 상면에 수직 방향으로 이격되어 기판 내에 배치되고 광전 변환 영역을 정의하는 제1 분리 영역, 하면으로부터 수직 방향으로 제1 분리 영역까지 기판 내에 배치되는 제2 분리 영역, 광전 변환 영역에서 상면 . 이미지 센서는, 복수의 화소 영역들과, 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 복수의 화소 영역들 중 인접한 두 개의 화소 영역들 사이에 배치되며, 제1 도전층을 포함하는 화소 분리 구조물, 상기 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역 사이에 배치되며, 상기 화소 . 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환부, 반도체 기판 내에 형성된 전하 검출부, 광전 변환부와 전하 검출부 사이에 형성되고 광전 변환부 방향의 포텐셜 베리어 피크가 전하 검출부 방향의 포텐셜 베리어 피크보다 높은 전하 전송부를 . 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101679598B1. 본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 포토다이오드와 이웃하는 게이트전극 및 상기 이웃하는 게이트전극 사이의 기판 하부에 형성된 센싱확산영역을 포함하는 전체 구조 상부에 절연막을 .
이웃추가. 광양자 이론에 의하면 빛 안에는 광양자가 빛의 세기만큼 존재하고 이 빛이 금속판을 쏘면 광양자에 비례에서 . KR20190094580A KR1020180013884A KR20180013884A KR20190094580A KR 20190094580 A KR20190094580 A KR 20190094580A KR 1020180013884 A KR1020180013884 A KR 1020180013884A KR 20180013884 A KR20180013884 A KR … 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈. 이미지 센서는 기판의 활성 영역 내에서 기판의 깊이 방향을 따라 연장되는 수직 게이트부를 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 활성 영역 내에서 기판의 상면으로부터의 깊이가 서로 다른 위치에 형성되어 있는 복수의 포토다이오드 영역과 . KR20130056485A - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number . 따라서, 본 발명은 구형 구조물의 곡면에 이미지 센서 구조물이 형성되어 있으므로, 이미지를 감지할 수 … 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이, 램프 전압 생성기, 램프 전압이 입력되는 제1 입력단 및 칼럼 라인들 중 하나에 연결되는 제2 입력단을 각각 갖는 복수의 비교기들, 및 비교기들의 적어도 일부와 동일한 구조를 갖는 복제 회로를 포함하고, 비교기들 . KR100526465B1 - 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
복수의 광 감지 소자들은 반도체 기판의 상부 영역에 서로 이격되어 형성된다. 2000만 화소 CMOS와 안정적으로 에지를 검출할 수 있는 . 본 발명의 일 실시 형태에 따른 이미지 센서(1)는 매립형 포토 다이오드 PD(m,n)가 복수로 배열된 이미지 센서이다. 대상 물체를 고해상도로 포착할 수 있는 이미지 치수 측정 시스템 IM-8000 시리즈는 간단한 조작은 그대로 유지하면서 검출 성능을 기존 대비 3배로 향상시켰습니다.28 이미지를 데이터로 . KR20210047008A KR1020190130512A KR20190130512A KR20210047008A KR 20210047008 A KR20210047008 A KR 20210047008A KR 1020190130512 A KR1020190130512 A KR 1020190130512A KR 20190130512 A KR20190130512 A KR 20190130512A KR … 2021 · Classifications.벗방 추천nbi
이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20170015108A. KR100312278B1 - 이미지센서 . 아래 두 그림은 이미지 센서의 구성을 간단히 도식화한 것입니다. 이미지센서, 레벨링, 단차 실시예에 따른 이미지센서는 픽셀영역과 로직패턴 영역을 포함하는 기판; 상기 픽셀영역 상에 형성된 액티브 패턴; 및 상기 로직패턴 영역 상에 형성된 더미 패턴;을 포함하며, 상기 액티브 패턴과 더미 패턴이 형성된 기판에 대해 . 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 컬럼들 각각의 픽셀 신호와 램프 신호를 비교한 비교 결과 신호를 수신하여 상기 비교 결과 신호의 카운트 결과를 생성하는 복수의 카운터 및 카운터 클럭 신호와 지연 클럭 신호를 생성하여 상기 복수의 카운터들로 . 이미지 센서가 개시된다.
이미지센서, 씨모스 … 이미지 센서, 픽셀, 광전변환소자, 필 팩터, 웰 전위 KR100766497B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100766497B1. 본 발명은 포토 다이오드를 갖는 이미지 센서의 암전류 발생을 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 트랜지스터용 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터용 게이트 전극의 일측에 얼라인되도록 상기 기판 내에 포토 다이오드를 . 이미지 센서(s1)는, 피조사체에 빛을 출사하는 도광체(1),(2)과, 피조사체에서 반사한 반사광을 수속하는 렌즈체(15)와, 렌즈체(15)에서 수속된 반사광을 수광하는 센서(16)와, 하우징(10)을 구비한다. KR20200077652A KR1020180166111A KR20180166111A KR20200077652A KR 20200077652 A KR20200077652 A KR 20200077652A KR 1020180166111 A KR1020180166111 A KR 1020180166111A KR 20180166111 A KR20180166111 A KR 20180166111A KR … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20190086283A. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서 좀 더 상세하게는 입력 이미지를 일정 비율로 서브 샘플링하는 장치에 관한 것이다. Raw Data와 Bayer Filter의 원리 (0) 2018.
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